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第八百七十九章 :S级项目!

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说三种成像方式各有差别,形成的图像也会有着差别,但能量和衬度会差距这么大的,很罕见。

徐川笑了笑,道:“没什么不可能的,如果说这些碳纳米管道与底层衬底形成了掺杂,产生了类似于集成芯片中半导体门的结构,这些差异是可以说得通的。”

闻言,赵光贵一脸惊诧的看了过来,忍不住询问道:“您是说这些试样表面若存在电位分布的差异,比如类似半导体的 P-N结、加偏压的集成电路等机构,其局部电位的差异影响到了二次电子的轨迹和强度。”

徐川点了点头,道:“嗯,目前来说这个猜测最有可能解释这种能量与衬度差距。”

“嘶~”

赵光贵倒吸了口凉气,惊讶的说道:“如果是这样,这极有可能是一块天然的碳纳米管集成板?”

盯着手中的实验数据报告文件,徐川思忖着开口道:“不否认这种可能性,不过它是天然碳纳米管集成电路板的可能性在我看来还是很低的。”

“嗯?”

闻言,赵光贵和实验室中的其他两名研究员都投来了诧异疑惑的目光。

按照HAADF成像上的数据来看,这是非常明显的电位衬度差距,而一般来说这种差异通常只会出现在半导体上。

因为半导体具有局部电位差,在正电位区域,二次电子好像被拉住不易逸出,因此在这些区域,二次电子产额较少,图像上显得较暗;

相反,在负电位区域,二次电子易被推出,产额较高,在图像上显得较亮,这就是电位衬度。

一般来说,剖析其他国家的半导体设备,比如芯片,就是通过电位衬度来研究的。

(这是一枚芯片电镜结构图,可以清楚的看到里面的区别)

看着手中的实验报告,徐川思忖了一下,开口解释道:“虽然说从扫描图像上来看,在施加偏压的时候在一定程度上具备了半导体性质衬底。”

“但它和碳基集成管的差距还是很大的,站在材料学的角度上来推测,我个人更倾向于它是受到外力的影响,而掺杂了一些其他的材料,导致出现了电阻差异。”

“看第三张图,就可以明显的发现第三列的碳纳米管出现了不同的分子亮度。”

微微顿了顿,他接着道:“不过这个方向可以研究一下,看看它被掺杂元素是什么,借鉴一下还是很不错的。”

赵光贵的眼眸动了动,盯着手里的实验数据开口道:“你是说碳半导体的掺杂研究?


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